Вплив магнітного поля та поверхні на явища подвійної інжекції в напівпровідниках II

Лабораторія фізики напівпровідникових компонентів, Національний політехнічний інститут Гренобля, дослідницька група, пов'язана з C.N.R.S., n ° 659, E.N.S.E.R., Гренобль

поверхні

Лабораторія фізики напівпровідникових компонентів, Національний політехнічний інститут Гренобля, дослідницька група, пов'язана з C.N.R.S., n ° 659, E.N.S.E.R., Гренобль

Частина я бачу фіз. стат. земля. (а) 64, 683 (1981).

23, Avenue des Martyrs, 38031 Grenoble Cédex, Франція.

Анотація

Ефект магнітодіоду виникає, коли лоренціанське відхилення носія накладається на явища подвійного впорскування. Режими, в яких домінує поздовжня дифузія носія, аналізуються із загальною двовимірною теорією для широких діапазонів швидкостей інжекції та магнітних полів. Встановлено, що робота магнітодіодів p + nn + та p + n є подібною. Для низьких індукцій вольт-амперні характеристики сильно залежать від якості поверхні та напрямку індукції, тоді як для високих індукцій магнітодіодний ефект відносно маскується магнітоопором. У цій частині також повідомляються експериментальні результати щодо Ge та інтегрованих SOS-магнітодіодів, які, як виявляється, дуже добре узгоджуються з цілою запропонованою теорією. Виміряні чутливості (300 VT -1 або 30 AT -1 в Ge та 10 VT -1 або 0,15 AT -1 в SOS) значно перевищують такі, як у звичайних напівпровідникових датчиків, і дають широку область застосування.

Анотація

Ефект магнітодіоду проявляється, коли лоренціанське відхилення носіїв накладається на явища подвійного введення. Загальна двовимірна теорія дозволяє аналізувати режими, в яких домінує поздовжня дифузія носіїв, для широких діапазонів інжекції та магнітної індукції. При низькій індукції вольтамперні характеристики в основному залежать від стану поверхонь та напрямку індукції, тоді як для високих індукцій магнітодіодний ефект відносно маскується магнітоопором. У цій частині ми також представляємо експериментальні результати на магнітодіодах в Ge або інтегрованих на SSI, які дуже добре узгоджуються з цілою запропонованою теорією. Виміряні чутливості (300 ВТ -1 або 30 АТ -1 дам Ge і 10 ВТ -1 або 0,15 АТ -1 в SSI) значно перевищують ефективність звичайних напівпровідникових датчиків і дають можливість розглянути широку область застосування.