Епітаксійний ріст напівпровідникових сполук методом випаровування-дифузії в ізотермічному режимі

Г. Коен-Солаль, Ю. Марфінг та Ф. Бейлі

епітаксійний

Лабораторія фізики магнетизму та твердого тіла, C. N. R. S., Bellevue, Seine-et-Oise

Анотація
Описано новий метод епітаксійного росту напівпровідникових сполук, таких як HgTe, GeTe, GaSb,., в ізотермічній системі, що наближається до термодинамічної рівноваги. Отримані монокристалічні шари товщиною від 1 до 200 мкм. Передбачається, що транспортування відбувається шляхом випаровування від джерела на підкладку, пов’язану з дифузією падаючих атомів всередині підкладки. Досліджуваними параметрами росту є: відстань між джерелом та субстратом, час та температура обробки. Енергія активації 29 кк/моль, що узгоджується з теоретичними припущеннями, була визначена на основі зміни товщини шару з температурою.

резюме
Представлено новий процес, який дає можливість здійснювати епітаксію напівпровідникових сполук, таких як HgTe, GeTe, GaSb,. в ізотермічному режимі, майже при термодинамічній рівновазі. Отримано монокристалічні шари товщиною від 1 до 200 мкм. Транспортне явище складається з випаровування матеріалу від джерела до підкладки у поєднанні з дифузією в підкладці перенесених атомів. Досліджуваними параметрами препарату є відстань від джерела до основи, тривалість та температура обробки. Зміни товщини осаду з температурою показують при високих температурах енергію активації 29 кк/моль, що добре узгоджується з теоретичними прогнозами.

PACS
8115K - епітаксія парової фази; зростання від парової фази.

Ключові слова
Осадження парів - Режим роботи - Ізотермічний стан - Мікроструктура - Тонкі плівки - Напівпровідникові матеріали